MRAMの原理・発売時期

次世代メモリMRAMの原理、仕組み、容量、発売時期などについて解説します。

MRAMとは

MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）とは、不揮発性メモリの1つです。
磁気抵抗メモリとも呼ばれます。
不揮発性メモリとは、電源を切っても記録されているデータが消えないメモリです。
現在多く使われているDRAMは揮発性メモリであり、電源を切るとデータが消えてしまいます。
MRAMはDRAMに変わる次世代メモリとして開発が進められています。

MRAMの原理・仕組み

MRAMは、データの記録にMRAMはハードディスクと同じ磁気を用いています。
具体的には、TMR効果による磁気抵抗を応用しています。
（DRAMは電子を用いてデータを記録）

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h3>TMR効果

TMR効果とは、原子数個程度の厚さの絶縁体薄膜を2層の磁性体薄膜で挟み、両側から加える磁化方向（磁石の磁力線の向き）を変化させることで抵抗値が変化する現象です。

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h3>MRAMの性能・メリット

DRAMと比較した時のMRAMのメリットは下記の通りです。

・データの読み書きが高速(約10倍)
・低消費電力（約3分の2）
・高集積性（DRAMと同サイズで記憶容量は10倍）
MRAMは、DRAMと比較しても高速にデータの読み書きができます。

MRAMの実用化・発売開始時期

MRAMは2020年頃に日米半導体開発関連企業20社が量産開始する予定となっています。
PCやスマートフォンの能力が飛躍的に向上することが期待されています。